紧凑型THz源的史密斯-帕塞尔辐射模拟(英文)

作     者：卑华 戴冬东 戴志敏 BEI Hua;DAI Dong-dong;DAI Zhi-min

作者机构：中国科学院上海应用物理研究所上海201800 中国科学院研究生院北京100049 

基　　金：Supported by Major State Basic Research Development Programof China(2002CB713600) 

出 版 物：《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期：2008年第20卷第12期

页      码：2067-2072页

摘      要：采用模拟和数值计算的方法,研究了THz波段的受激史密斯-帕塞尔辐射特性。实验装置以"上海电子束离子阱"为原型,采用紧凑型设计以便最终实现其可移动性。束流动力学模拟表明,此装置采用强磁场,可以得到平均流强为0.2 A、束流半径为75μm的高品质电子束,为电子束工作在自由电子激光模式下创造了条件。基于Andrews和Brau的理论,优化了光栅参数,保证了辐射角度在60°。其中消散场的计算频率为0.365 9 THz。采用particle-in-cell(PIC)程序模拟了光栅表面的辐射场以及电子的动力学特性。模拟结果表明电子有群聚效应,且二次谐波(0.723 THz,约为消散频率的2倍)得到增强。采用后处理方法计算了史密斯-帕塞尔辐射的功率空间分布。计算显示辐射角度与理论角度相一致,表明了方法的有效性。输出的功率约为2 mW。

主 题 词：史密斯-帕塞尔辐射 自由电子激光 THz源 PIC模拟 后处理 

学科分类：081704[081704] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 081701[081701] 0701[理学-数学类] 070101[070101] 

核心收录：

馆 藏 号：203557056...