0.9μmASIC正向设计中的总体仿真及测试矢量产生

作     者：居水荣 郑明 Ju Shuirong,Zheng Ming (MOS IC Design Institute of China Huajing Electronics Corporation,Wuxi,214061)

作者机构：中国华晶电子集团公司MOS总厂设计所无锡214061 

出 版 物：《微电子技术》 (Microelectronic Technology)

年 卷 期：2000年第28卷第2期

页      码：17-21页

摘      要：给出了在以VHDL为硬件描述语言的 0 9μmCMOS标准单元正向设计中 ,在存在用户定制单元及ROM宏单元情况下的总体仿真方法 ,讨论了测试矢量的产生及验证。

主 题 词：总体仿真 测试矢量 正向设计 ASIC 集成电路 MOS 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203557555...