Si/SiGe量子级联激光器研究进展

作     者：韩根全 林桂江 余金中 HAN Gen-Quan;LIN Gui-Jiang;YU Jin-Zhong

作者机构：中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室北京100083 厦门大学物理系厦门大学半导体光子学研究中心厦门361005 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60576001)资助项目 

出 版 物：《物理》 (Physics)

年 卷 期：2006年第35卷第8期

页      码：673-678页

摘      要：Si/SiGe量子级联激光器是一种新型的带内跃迁的红外光源,突破了Si基材料间接带隙特性对光跃迁的限制.Si/SiGe量子级联激光器的开发将为实现太赫兹有源器件的硅基集成产生深远影响.文章介绍了Si/SiGe量子级联激光器的工作原理,以及这类激光器在能带设计、材料生长和波导制作方面的最新进展.

主 题 词：Si/SiGe量子级联激光器 超晶格 太赫兹 子带跃迁 

学科分类：080903[080903] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.3321/j.issn:0379-4148.2006.08.010

馆 藏 号：203557588...