GaN基半导体光伏电池的制备和特性研究

作     者：蔡晓梅 张江勇 吕雪芹 应磊莹 张保平 CAI Xiao-mei;ZHANG Jiang-yong;L(U) Xue-qin;YING Lei-ying;ZHANG Bao-ping

作者机构：集美大学理学院福建厦门361021 厦门大学信息科学与技术学院 厦门大学萨本栋微米纳米技术研究院福建厦门361005 

基　　金：国家自然科学基金(61404059 61274052) 集美大学科研启动基金(ZQ2013011) 

出 版 物：《厦门大学学报（自然科学版）》 (Journal of Xiamen University：Natural Science)

年 卷 期：2015年第54卷第5期

页      码：665-673页

摘      要：制备了3种低In组分(即原子分数)的InGaN p-i-n同质结太阳能电池,均显示良好的光伏响应特性,并对电池开路电压随In组分增大而急剧下降的内在机理作了深入分析.而后,改进外延结构采用相同工艺制作InGaN p-i-n异质结太阳能电池,并与同质结太阳能电池进行了对比分析,提出异质结是InGaN电池结构的较好选择.为了扩展太阳光的吸收范围,制作了InGaN多量子阱结构电池,指出合理设计器件结构是今后研究的关键,为进一步的研究发展提供了思路.

主 题 词：InGaN 太阳能电池 结构 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.6043/j.issn.0438-0479.2015.05.009

馆 藏 号：203557708...