TFT-LCD产业中GOA单元不良的研究

作     者：张小祥 颉芳霞 刘正 郭总杰 袁剑峰 邵喜斌 ZHANG Xiao-xiang;XIE Fang-xia;LIU Zheng;GUO Zong-jie;YUAN Jian-feng;SHAO Xi-bin

作者机构：北京京东方显示技术有限公司北京100176 江南大学江苏省食品先进制造装备技术重点实验室江苏无锡214122 

出 版 物：《液晶与显示》 (Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays)

年 卷 期：2015年第30卷第3期

页      码：387-392页

摘      要：通过对TFT-LCD制造过程中GOA单元不良原因的研究,提出了改善GOA单元不良的方法。分析表明静电放电(ESD)的发生在于电容瞬间释放的电流过大,导致过细的金属线熔化;沟道桥接和开裂的发生在于显影效应,显影方向以及图案密度,导致局部区域沟道光刻胶厚度偏厚和偏薄。采用静电分散释放的连线设计,ESD的发生率从5.4%降低到0.04%以下。GOA单元两侧增加测试图样(Dummy Pattern)的设计防止沟道桥接的发生,减压干燥(VCD)抽气曲线的调整和软烘(Soft Bake)底部温度的优化措施防止沟道开裂的发生,沟道桥接和开裂的发生率从13.4%降低到1.22%以下。

主 题 词：静电放电 沟道桥接 沟道开裂 显影效应 

学科分类：0810[工学-土木类] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0804[工学-材料学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.3788/yjyxs20153003.0387

馆 藏 号：203557982...