高可靠性P-LDMOS研究

作     者：孙智林 孙伟锋 易扬波 陆生礼 

作者机构：东南大学国家专用集成电路系统工程研究中心南京210096 

基　　金：国家高技术研究发展计划资助项目 (批准号 :2 0 0 2 AA1Z15 5 0 2 0 0 3 AA1Z14 0 0 )~~ 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2004年第25卷第12期

页      码：1690-1694页

摘      要：分析了沟道高电场分布产生原因及各个参数对高电场的影响 ,提出了两条沟道设计的原则——拉长沟道同时降低沟道浓度 .模拟结果显示 ,两条原则能够有效地降低沟道两端的两个峰值电场 ,从而缓解沟道热载流子效应 ,提高 P- L DMOS的可靠性 .

主 题 词：LDMOS 沟道 峰值电场 热载流子效应 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2004.12.028

馆 藏 号：203562381...