GaInP_2/GaAs/Ge级联电池隧道结的结构设计及金属有机化学汽相淀积生长研究

作     者：王晋国 李晓婷 魏俊波 WANG Jin-guo;LI Xiao-ting;WEI Jun-bo

作者机构：长安大学理学院陕西西安710061 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(2040174032) 长安大学科研基金资助项目(2004J01) 

出 版 物：《陕西师范大学学报（自然科学版）》 (Journal of Shaanxi Normal University：Natural Science Edition)

年 卷 期：2005年第33卷第2期

页      码：37-39,43页

摘      要：采用国产的低压金属有机化学汽相淀积(LP MetalOrganicChemicalVaporDeposition,简写为LP MOCVD)设备,生长了GaInP2/GaAs/Ge双结级联电池隧道结,分析了隧道结结构的设计原理.利用霍耳测试仪、X射线双晶衍射仪、二次离子质谱仪,对隧道结的重掺杂和互扩散特性进行了研究.结果表明,在生长温度为600℃,H2Se流量为3mL/min及隧道结N型层掺杂剂选用Se的条件下,可得到电子浓度为5×1019cm-3;而采用自掺C(通过不断改变五族元素与三族元素之比)可得到P型载流子浓度为1017～1021cm-3的GaAs隧道结.说明该生长方法可获得电池隧道结中高掺杂水平的PN结,并且能够达到抑制掺杂杂质互扩散现象的设计要求.

主 题 词：GaAs 隧道结 掺杂 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1672-4291.2005.02.010

馆 藏 号：203562536...