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10Gb/s SiGe光接收机限幅放大器

10Gb/s SiGe光接收机限幅放大器

作     者:黄海云 徐跃 刘华珠 刘军 孙玲玲 HUANG Hai-yun;XU Yue;LIU Hua-zhu;LIU Jun;SUN Ling-ling

作者机构:杭州电子科技大学微电子CAD研究所杭州310018 南京邮电大学信息学院南京210003 东莞理工学院集成电路设计研究所广东东莞523106 

基  金:浙江省自然科学基金资助项目(ZD0015) 

出 版 物:《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期:2005年第30卷第7期

页      码:60-62页

摘      要:给出了一个利用IBM 0.5μm SiGe BiCMOS工艺实现的10Gb/s限幅放大器。在标准的3.3V 电源电压,功耗为133.77mW。在31dB的输入动态范围内,可以保持980mVpp恒定输出摆幅。

主 题 词:光接收机 主放大器 限幅放大器 SiGe BiCMOS 工艺 

学科分类:080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D O I:10.3969/j.issn.1003-353X.2005.07.017

馆 藏 号:203562556...

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