16×0.8nm Si基SiO_2阵列波导光栅设计、制备及测试

作     者：李健 安俊明 王红杰 胡雄伟 LI Jian;AN Jun-ming;WANG Hong-jie;HU Xiong-wei

作者机构：中国科学院半导体研究所北京100083 

基　　金：国家重点基础研究发展规划(G2000036602) 国家自然科学基金(69889701)资助项目 

出 版 物：《光学技术》 (Optical Technique)

年 卷 期：2005年第31卷第3期

页      码：349-350,353页

摘      要：叙述了一个完整的16通道硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG)的设计、制备及测试过程。通道间隔为0.8nm(100GHz),解复用器的插入损耗为16.8dB,其中材料损耗为11.95dB,相邻通道串扰小于-17dB,通道插损非均匀性小于2.2dB。

主 题 词：光波导 波分复用/解复用器 阵列波导光栅 

学科分类：070207[070207] 07[理学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1002-1582.2005.03.043

馆 藏 号：203562567...