新型微波有源混频放大MMIC设计

作     者：李佩 陈兴国 LI Pei;CHEN Xing-guo

作者机构：中国电子科技集团公司第38研究所合肥230031 

出 版 物：《微波学报》 (Journal of Microwaves)

年 卷 期：2006年第22卷第1期

页      码：27-30页

摘      要：采用0.25μm GaAs PHEMT工艺实现了单片S波段(2.6GHz^3.6GHz)有源混频放大器。电路采用改进的差分对本振和共栅射频混频形式,具有较大的变频增益和高的隔离度,同时将补偿放大器与变频器结合在一起,提高了单元电路的集成度。本文着重介绍了建模分析和应用ADS软件进行仿真优化。测试结果:输入LO和RF,LO和IF的隔离度都大于50dB,变频增益大于12 dB。

主 题 词：GaAs PHEMT工艺 单片有源混频放大器 ADS软件 变频增益 隔离度 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-6122.2006.01.007

馆 藏 号：203562802...