一种高线性度CMOS混频器的设计

作     者：吴明明 叶水驰 Wu Ming-ming;YE Shui-chi

作者机构：哈尔滨工业大学卫星技术研究所哈尔滨150080 

基　　金：国家973科研计划项目(51312) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2007年第32卷第2期

页      码：117-120页

摘      要：采用线性化技术改进的混频器结构提高了线性度。采用TSMC 0．18μm RF CMOS模型进行了电路仿真。仿真结果:在电源电压为1．8 V时,输入三阶截断点(IIP3)为10．3 dBm,输入1 dB压缩点(P-1dB)为-3．5 dBm,增益为9．2 dB,单边带噪声系数为17 dB。

主 题 词：双平衡混频器 互补金属氧化物半导体工艺 射频集成电路 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353X.2007.02.007

馆 藏 号：203563142...