IBM联盟研制32nm高k／金属栅SRAM

作     者：杨英惠（摘译） 

出 版 物：《现代材料动态》 (Information of Advanced Materials)

年 卷 期：2008年第8期

页      码：13-14页

摘      要：mM公司已研制出32nm高k／金属栅SRAM样品，并计划与它在Fishkill的联合伙伴在2009年下半年将高k／金属栅引入32nm工艺，设计团队已完全投入该工艺的设计。32nm项目组最近成功地研制出1．5MB阵列，其管芯尺寸小于0．15μm2，为45nm工艺代管芯的一半。因为利用了高k（电介质），改进了其可变性。随着栅电介质越来越薄，漏电流和可变性问题日益突出，而使用“高k”就不必耽心此工艺代的可变性问题。

主 题 词：SRAM 金属栅 IBM 联盟 可变性 电介质 工艺 项目组 

学科分类：080904[080904] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

馆 藏 号：203563510...