栅氧化层制程对IC产品可靠性的影响

作     者：曾梁英 阮玮玮 胡子信 李明 Zeng Liangying;Ruan Weiwei;Hu Zixin;Li Ming

作者机构：中芯国际半导体有限公司上海201203 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2010年第35卷第1期

页      码：90-93页

摘      要：栅氧化层变薄的趋势使得栅氧化层制程对IC产品可靠性的影响成为业界关注的焦点之一。在0.18μm工艺的基础上,针对6V器件对应的氧化层,设计了两种不同的栅氧化层生长方式,并对这两种方法生长的栅氧化层进行了电压扫描的可靠性测试验证,并结合失效分析的结果对氧化层质量进行了分析。实验结果表明,将湿氧法(WGO)与高温氧化物沉积(HTO)工艺相结合,极大地提高了栅氧化层厚度的均匀性,增强了产品可靠性。

主 题 词：栅氧化层 可靠性 高温氧化物沉积 电压扫描 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353x.2010.01.021

馆 藏 号：203564165...