0.9μmASIC正向设计中DDB的产生及验证

作     者：居水荣 袁敏民 Ju Shuirong,Yuan Minming (MOS IC Design Institute of China Huajing Electronics Corporation,Wuxi,214061)

作者机构：中国华晶电子集团公司MOS总厂设计所无锡214061 

出 版 物：《微电子技术》 (Microelectronic Technology)

年 卷 期：2000年第28卷第2期

页      码：8-11页

摘      要：讨论了 0 9μm标准单元正向设计流程中 ,后道工具所需的中间数据格式—DDB的产生方法及步骤 ,同时给出了DDB的验证方法。

主 题 词：DDB 验证 ASIC 正向设计 集成电路 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203565275...