旋磁基片DC-10GHz微波功率电阻器设计制作

作     者：计量 张怀武 牛旭博 

作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.50972023) 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2012年第31卷第11期

页      码：22-24页

摘      要：基于旋磁基片设计并通过光刻工艺制作DC-10 GHz微波电阻器。通过HFSS仿真设计制作DC-10 GHz电阻器,采用磁控反应溅射制作TaN薄膜,电压驻波比VSWR均小于1.25。旋磁基片微波电阻器相对于应用广泛的氧化铝基片微波电阻器,可直接集成于同样以旋磁为基片的结环行器中,从而能制作出更加小型化的微波隔离器,有效减小器件体积,符合现代通信产品小型化、集成化的发展要求。

主 题 词：薄膜电阻器 光刻工艺 旋磁基片 TaN薄膜 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

D　O　I：10.14106/j.cnki.1001-2028.2012.11.011

馆 藏 号：203565494...