看过本文的还看了

相关文献

该作者的其他文献

文献详情 >Imec与Synopsys携手将TCAD应用于10nm FinFET 收藏
Imec与Synopsys携手将TCAD应用于10nm FinFET

Imec与Synopsys携手将TCAD应用于10nm FinFET

出 版 物:《中国集成电路》 (China lntegrated Circuit)

年 卷 期:2013年第22卷第1期

页      码:11-11页

摘      要:Imec与新思科技(Synopsys)宣布,双方将扩大合作范围并将电脑辅助设计技术(TCAD)应用于10纳米鳍式晶体管(FinFET)制程。此项合作是以14纳米等制程为基础,而通过这项合作,新思科技的SentaurusTCAD模型将可有效支援新时代FinFET装置。

主 题 词:FinFET CAD应用 电脑辅助设计 CAD模型 晶体管 合作 科技 制程 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号:203565665...

读者评论 与其他读者分享你的观点

用户名:未登录
我的评分