一种高压ns级脉冲形成电路

作     者：贺元吉 张亚洲 李传胪 

作者机构：国防科技大学理学院长沙410073 

基　　金：国家 8 6 3激光技术领域资助项目 

出 版 物：《高电压技术》 (High Voltage Engineering)

年 卷 期：2000年第26卷第4期

页      码：13-15页

摘      要：分析了脉冲形成电路参数对脉冲上升时间的影响 ,设计了一种集脉冲电容器、脉冲整形器、电容分压器和匹配负载为一体的 ns级脉冲形成电路。该电路采用同轴结构 ,波阻抗为 5 0 Ω,电容分压器的分压比为 932 ,频率响应高达 1GHz。脉冲形成电路能产生脉冲前沿为 2 ns、后沿为 1.8ns、底宽为 5 .6 ns、峰值为 71k

主 题 词：高压ns级脉冲形成电路 电容分压器 纳秒脉冲 

学科分类：0808[工学-自动化类] 080803[080803] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-6520.2000.04.006

馆 藏 号：203565766...