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电刺激期间神经细胞单元锋电位的检测

电刺激期间神经细胞单元锋电位的检测

作     者:封洲燕 肖乾江 胡振华 FENG Zhou-Yan;XIAO Qian-Jiang;HU Zhen-Hua

作者机构:浙江大学生物医学工程与仪器科学学院生物医学工程教育部重点实验室杭州310027 

基  金:国家自然科学基金(30970753) 

出 版 物:《中国生物医学工程学报》 (Chinese Journal of Biomedical Engineering)

年 卷 期:2013年第32卷第4期

页      码:403-410页

摘      要:大脑深部电刺激(DBS)已成功用于临床治疗帕金森等中枢神经系统疾病;但是DBS的作用机制尚无定论。为了考察电刺激期间神经细胞动作电位(即单元锋电位)发放的规律,本研究设计了一种插值法去除刺激伪迹和大幅值诱发波,并设定信号斜率的阈值来自动选定插值区的端点,尽可能缩短锋电位的不可测期(NP)。该算法用于大鼠海马CA1区正向和反向电刺激期间锋电位的分析,结果表明:它可以将紧随刺激的NP缩短约8 ms;而且与线性插值相比,样条插值对于锋电位检测的影响更小。此插值法能够有效地用于高频串刺激期间锋电位信号的检测,从而为深入研究DBS期间的神经元活动提供了一种简单实用的新方法。

主 题 词:大脑深部电刺激 伪迹 群峰电位 单元锋电位 

学科分类:0831[工学-公安技术类] 0710[理学-生物科学类] 07[理学] 08[工学] 071006[071006] 0836[0836] 

核心收录:

D O I:10.3969/j.issn.0258-8021.2013.04.04

馆 藏 号:203565863...

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