非平面InP液相外延生长的理论与实验

作     者：李洵 陈根祥 简水生 

作者机构：北方交通大学光波技术研究所 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：1995年第16卷第2期

页      码：93-100页

摘      要：本文对用液相外延技术制作半导体激光器时所遇到的非平面ＩｎＰ固－液相界及在不同平面上满足不同的界面反应速度情况做了严格的理论分析，它可以对实际非平面ＩｎＰ生长所遇到的各种情况给出准确的解释．此外，对理论结果进行了数值模拟计算，对界面反应速度作适当拟合之后，得到了与实验一致的结果，从而验证了理论的正确性，可以其作为实际非平面ＩｎＰ液相外延生长时工艺设计与参数选择的依据．

主 题 词：磷化铟 外延生长 液相外延 半导体激光器 

学科分类：080903[080903] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 080501[080501] 0804[工学-材料学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

馆 藏 号：203566233...