十二位SOI/CMOS数模转换器的研制

作     者：范秀强 张正番 刘永光 多新中 张苗 王连卫 林成鲁 

作者机构：中国科学院上海冶金研究所上海200050 四川固体电路研究所重庆400060 

基　　金：国家重点基础专项经费G20000365 上海市科学发展基金项目(No.99JC14012) 

出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)

年 卷 期：2002年第8卷第1期

页      码：49-52页

摘      要：介绍一种SOI/CMOS数模转换器的设计和工艺。电路采用了SOI(SiliconOnInsulator)材料代替常规的体硅,使电路具有高速、抗辐照的特点;同时,电路采用独特分段结构和3—7温度编码电路,降低了对R—2R电阻网络的精度要求,提高了转换精度。

主 题 词：研制 数模转换器 SOI/CMOS 模拟开关 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.012

馆 藏 号：203566346...