基于HEMT的单片微波集成放大器设计

作     者：杨学斌 吕善伟 苏东林 王良臣 YANG Xuebin;Lü Shanwei;SU Donglin;WANG Liangchen

作者机构：北京航空航天大学电子工程系 中国科学院半导体研究所 

基　　金：航空基础科学基金资助项目!(96F51070) 

出 版 物：《北京航空航天大学学报》 (Journal of Beijing University of Aeronautics and Astronautics)

年 卷 期：2000年第26卷第3期

页      码：290-292页

摘      要：介绍了S波段单级单片微波集成放大器的设计方法 ,电路核心为高电子迁移率晶体管 (HighElectronMobilityTransistor,HEMT) .针对在该波段高电子迁移率晶体管稳定性较差、噪声性能优秀的特点设计电路拓扑 ,在HEMT的输入端并联一个 2 0 0Ω电阻 ,用HP EESOF公司的Libra 2 .1软件进行了小信号电路仿真与设计 .仿真结果表明设计的放大器是绝对稳定的 ,在 2～ 3GHz频带内增益为1 4.2dB ,纹波小于 0 .4dB ,噪声系数约 2 .7dB ,满足实用要求 .

主 题 词：微波晶体管放大器 微波集成电路 仿真 HEMT 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0802[工学-机械学] 0825[工学-环境科学与工程类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-5965.2000.03.012

馆 藏 号：203570924...