极低电源电压和极低功耗的亚阈值SRAM存储单元设计

作     者：柏娜 冯越 尤肖虎 时龙兴 Bai Na;Feng Yue;You Xiaohu;Shi Longxing

作者机构：东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 安徽大学电子信息工程学院合肥230601 东南大学移动通信国家重点实验室南京210096 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61204039) 人力资源和社会保障部留学回国人员科研启动基金资助项目 国家核高基重大专项资助项目(2011ZX01034-001-002-003) 东南大学博士后重点科研资助计划资助项目 

出 版 物：《东南大学学报（自然科学版）》 (Journal of Southeast University：Natural Science Edition)

年 卷 期：2013年第43卷第2期

页      码：268-273页

摘      要：提出一款可以工作在极低电源电压条件下,功耗极低的亚阈值SRAM存储单元.为使本设计在极低电源电压(200 mV)条件下依然能够保持足够的鲁棒性,采用差分读出方式和可配置的操作模式.为极大限度地降低电路功耗,采用自适应泄漏电流切断机制,该机制在不提高动态功耗与不增加性能损失的前提下,可同时降低动态操作(读/写操作)和静态操作时的泄漏电流.基于IBM 130 nm工艺,实现了一款256×32 bit大小的存储阵列.测试结果表明,该存储阵列可以在200 mV电源电压条件下正常工作,功耗(包括动态功耗和静态功耗)仅0.13μW,为常规六管存储单元功耗的1.16%.

主 题 词：极低功耗 亚阈值 SRAM存储单元 泄漏电流 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-0505.2013.02.008

馆 藏 号：203571165...