基于DICE结构的抗辐射SRAM设计

作     者：章凌宇 贾宇明 李磊 胡明浩 ZHANG Lingyu;JIA Yuming;LI Lei;HU Minghao

作者机构：电子科技大学电子科学技术研究院成都610054 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2011年第41卷第1期

页      码：107-110,119页

摘      要：空间应用的SRAM必须具备抗辐射加固能力。介绍了SRAM工作原理与双互锁存储单元(DICE)技术,给出了基于DICE结构的SRAM存储单元的电路设计、版图设计及其功能仿真。在SMIC 0.13μm工艺下,应用HSPICE进行单粒子效应模拟,与传统6T CMOS SRAM相比,基于DICE结构的SRAM在相同工艺条件下抗辐照能力有显著的提高。

主 题 词：SRAM 辐射加固 双互锁存储单元 存储器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203572272...