改进的HEMT器件噪声等效电路模型

作     者：高建军 高葆新 梁春广 

作者机构：清华大学电子工程系北京100084 

出 版 物：《清华大学学报（自然科学版）》 (Journal of Tsinghua University(Science and Technology))

年 卷 期：2001年第41卷第7期

页      码：5-8页

摘      要：为了弥补 SPICE电路模拟程序中高电子迁移率HEMT器件等效电路噪声模型的缺陷 ,提高高速电路设计的精度 ,提出了一个新的用于 SPICE电路模拟器的 HEMT噪声模型 ,该噪声模型的优点在于由两个不相关的噪声电压源和噪声电流源组成 ,很容易在 SPICE程序中实现。文中给出了利用矩阵关联技术提取噪声等效电路模型参数的方法 ,实验结果说明 。

主 题 词：高电子迁移率晶体管 噪声等效电路模型 HEMT器件 SPICE 噪声系数 噪声电阻 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1000-0054.2001.07.003

馆 藏 号：203572477...