0.6μm CMOS分布式放大器设计

作     者：陈勖 王志功 李伟 CHEN Xu;WANG Zhigong;LI Wei

作者机构：东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2007年第27卷第1期

页      码：58-62页

摘      要：采用了国内0．6μm标准CMOS工艺设计实现了一种单片集成的分布式放大器。放大器采用四级级联结构，单元电路采用管联（cascode）结构以提高隔离度。在输人输出端50Ω匹配情况下，测试得到的频带宽度为0．1～4.0GHz，增益为5.0±1.0dB，输入输出的回波损耗分别小于-10dB和-7dB。在5V供电下功耗约为110mW。

主 题 词：分布式放大器 电感 互补金属氯化物半导体 管联结构 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 080902[080902] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2007.01.013

馆 藏 号：203578532...