InSb中杂质Cd的开管充氮箱法扩散

作     者：关凯明 

作者机构：航空航天工业部三院八三五八所 

出 版 物：《红外与激光技术》 (Infrared and Laser Engineering)

年 卷 期：1990年第19卷第1期

页      码：29-32页

摘      要：本文介绍了用于n-InSb上扩散Cd的开管充氮箱式扩散系统和工艺.该工艺是在总结硅器件箱法扩散特点的基础上,结合我们的具体情况设计研制出的,它具有自己的特色.通过试验得出Cd在InSb内的扩散系数D=D_0cxp(-AE/kT),其中D_0=4.22×10^(-4)cm^2/s,△W=1.38eV.

主 题 词：InSb 扩散 工艺 开管充氮箱法 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

馆 藏 号：203578949...