MOSFET和Poly-Si TFTs参数提取策略的研究

作     者：魏长河 郑学仁 Wei Changhe;Zheng Xueren

作者机构：华南理工大学微电子研究所广州510640 

基　　金：国际合作项目(2006440003070462) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2009年第34卷第7期

页      码：653-657页

摘      要：随着半导体制造技术的不断改善和工艺的不断升级,精确的模型参数对于代工厂和设计者尤为重要。而参数提取策略的选择是整个参数提取过程中的关键步骤。该研究以伯克利大学开发的SPICE Level-3MOSFET和多晶硅薄膜晶体管模型为研究对象,以包括了短沟效应、窄沟效应、漏致势垒降低效应的MOSFET阈值电压方程和多晶硅薄膜晶体管统一漏电流方程作为研究出发点,然后分别讨论了模型中几个主要参数的提取方法,最后给出了参数提取的流程图。

主 题 词：多晶硅薄膜晶体管 短沟效应 阈值电压 漏电流 参数提取 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353x.2009.07.09

馆 藏 号：203579411...