典型CMOS器件稳态和脉冲γ辐射效应

作     者：王艳 周开明 周启明 WANG Yan;ZHOU Kai-ming;ZHOU Qi-ming

作者机构：中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621900 

基　　金：国防科技基础研究基金资助课题 

出 版 物：《核电子学与探测技术》 (Nuclear Electronics & Detection Technology)

年 卷 期：2012年第32卷第11期

页      码：1251-1254页

摘      要：以N管阈值电压作为表征参数,对典型CMOS器件CC4007在稳态和脉冲γ辐射下的辐射效应与退火特性进行了实验研究,初步探讨了辐射损伤与退火机理。为满足实验需要,设计了抗闭锁辐照实验系统和弱电流测试电路。研究结果表明,CMOS器件在稳态和脉冲γ辐照下产生的损伤效应和退火特性具有明显差异,相同累积剂量条件下,稳态辐照产生的器件损伤明显大于脉冲辐照;相同退火时间时,脉冲辐照退火快于稳态辐照。

主 题 词：CMOS器件 电离总剂量 辐射损伤 退火 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0804[工学-材料学] 0827[工学-食品科学与工程类] 0703[理学-化学类] 1009[医学-法医学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.0258-0934.2012.11.005

馆 藏 号：203581023...