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意法半导体(ST)新款100V晶体管提高汽车应用能

意法半导体(ST)新款100V晶体管提高汽车应用能

出 版 物:《电子设计工程》 (Electronic Design Engineering)

年 卷 期:2014年第22卷第18期

页      码:128-128页

摘      要:意法半导体最先进的 STripFETTM F7系列低压功率 MOSFET 产品新添三款100 V 汽车级产品。 STH315N10F7-2、STH315N10F7-6和 STP315N10F7优化了body-drain diode (体-漏极二极管)性能,在工作电压范围内最大限度降低峰值电压脉冲和开关噪声,实现更稳健、更可靠和更高效的设计。

主 题 词:意法半导体 汽车应用 晶体管 ST MOSFET 开关噪声 电压脉冲 电压范围 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D O I:10.3969/j.issn.1674-6236.2014.18.042

馆 藏 号:203581910...

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