一种新的铁电电容模型及其在1T/1C FeRAM中的应用

作     者：程旭 汤庭鳌 王晓光 钟宇 康晓旭 

作者机构：复旦大学微电子学系 

基　　金：国防科技预研项目 AM基金项目 博士点基金项目资助 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2004年第24卷第1期

页      码：123-129页

摘      要：随着集成铁电工艺的迅速发展和铁电电容的广泛应用 ,铁电电容模型的缺乏已成为制约基于铁电电容电路设计和优化的瓶颈。文中提出的非线性双电容铁电电容模型是线性双电容铁电电容模型的改进 ,它不仅与线性双电容模型一样易于用宏模型实现 ,而且比后者具有更高的精度和更简单的控制方式。以 1 T/1 C单元作为基于铁电电容电路设计优化的实例 ,定性分析了位线寄生电容对读出窗口的影响 ,并在 HSPICE中用非线性双电容模型进行了仿真 ,得到位线寄生电容与 1 T/1 C单元铁电电容比例 (CBL/CF E)对读出窗口的最优值 :CBL/CF E=2 .

主 题 词：铁电电容 宏模型 稳态模型 FeRAM 读出容限 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2004.01.025

馆 藏 号：203583058...