1.55μm光发射OEIC技术研究

作     者：李献杰 曾庆明 徐晓春 刘伟吉 敖金平 王全树 杨树人 赵方海 柯锡明 王志功 刘式墉 梁春广 

作者机构：河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室河北石家庄050051 吉林大学电子工程系 东南大学射频与光电集成电路研究所江苏南京210096 

基　　金：8 6 3国家高科技资助项目 (86 3- 30 7- 15 - 3- 0 4 ) 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2002年第23卷第1期

页      码：23-25页

摘      要：采用一种新的基于InP材料在 [0 11]晶向化学腐蚀形成的平滑剖面的互连工艺和两次曝光光刻技术 ,设计并制作了带有 1.5 5 μm多量子阱激光器和InP/InGaAs异质结双极晶体管驱动电路的光发射单片光电集成电路。在 1.5Gbit/s 2 2 3- 1伪随机码调制下器件有张开的眼图 ,光输出功率为 2dBm ,芯片功耗约 12 0mW。

主 题 词：光发射 光电集成电路 InP 

学科分类：0808[工学-自动化类] 070207[070207] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-5868.2002.01.007

馆 藏 号：203586256...