集成CMOS行波放大器的设计和仿真

作     者：李富华 李征帆 

作者机构：上海交通大学电子工程系上海200030 

基　　金：国家"九五"重点科技攻关项目 (97-773 -0 4-0 1(5 ) ) 

出 版 物：《上海交通大学学报》 (Journal of Shanghai Jiaotong University)

年 卷 期：2002年第36卷第12期

页      码：1781-1784页

摘      要：采用有耗片内螺旋电感和 0 .1 8μm CMOS工艺对集成行波放大器进行了设计 ,其仿真增益在 1 4GHz的频带内大于 1 5 d B.仿真了有耗片内螺旋电感的分布参数对放大器增益的影响 ,该仿真结果对放大器的设计和优化具有很好的指导作用 .

主 题 词：集成CMOS行波放大器 设计 微波集成电路 增益 片内螺旋电感 计算机仿真 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1006-2467.2002.12.018

馆 藏 号：203588012...