中子和电子辐照Si中的氧相关缺陷研究进展

作     者：孟祥提 

作者机构：清华大学核能技术设计研究院北京100084 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2000年第29卷第S1期

页      码：247-页

摘      要：氧相关缺陷是中子和电子辐照Si中的重要缺陷。虽然对这些缺陷已经研究很多 ,如对空位 -氧 (V 0 )复合体即A中心已有大量研究报告发表 ,但是因为所用的材料、辐照通量、测量方法及测量仪器的精度不同 ,所报道的A中心的能级和退火行为特征包括退火温度不一致。由此 ,对氧相关缺陷的研究仍然是一个引人注目的课题。本文报告了这方面研究的一些新进展。中子辐照CZSi中有 82 8cm 1红外 (IR)峰 (A中心 ) ,2 0 0～ 30 0℃退火后强度增加 ,然后强度急剧下降 ,4 0 0℃后稳定 ,550℃退火消失。已将 2 0 0～ 30 0℃强度的增加归于X1中心的聚集 ,它与杂质 -缺陷团相关。 82 8cm 1IR峰在高于 4 0 0℃的稳定已归于无序区或大缺陷附近陷阱大量的A中心 ,这引起较大的结合能。我们的IR测量曾表明 ,在 6× 10 17中子 /cm2 (镉比为 12 .4 )辐照态CZSi中 ,82 9cm 1IR峰强度很大 ,～ 2 0 0℃退火后强度增加 ,350℃退火后强度急剧下降 ,～ 6 0 0℃退火消失。用正电子湮没技术测量了低温和室温不同电子通量辐照Si中的缺陷 ,发现一直存在着浅正电子陷阱 ,它在电子辐照CZSi中比在电子辐照FZSi中的浓度高 ,由此得出它含有 0 ,可能是辐照致A中心。辐照缺陷可以陷阱高浓度自由载流子 ,电阻率增加。已经用快中子辐照和IR技术测量确定?

主 题 词：硅单晶 中子辐照 电子辐照 氧相关缺陷 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2000.s1.261

馆 藏 号：203592497...