1.3μm高速PIN光电二极管

作     者：陶启林 

作者机构：重庆光电技术研究所重庆400060 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2001年第22卷第4期

页      码：271-274页

摘      要：综合考虑高速光电探测器的频率特性和响应度 ,优化设计了GaInAs/InPPIN光电二极管的结构参数 ,解决了长波长高速光电探测器制作中的关键技术 ,如高纯、超薄GaInAs/InP材料的液相外延生长、有源区的浅结扩散技术、为降低器件漏电采用的双层钝化膜技术和小光敏面的光耦合技术等 ,并采用同轴封装结构实现了高速光电探测器的高频封装。研制的GaInAs/InPPIN高速长波长光电探测器的 3dB带宽达到 2 0GHz ,响应度为 0 .7A/W ,暗电流小于

主 题 词：光电二极管 微波封装 GaInAs/InP 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-5868.2001.04.013

馆 藏 号：203593187...