ADS下CMOS低噪声放大器的设计优化

作     者：魏玉香 李富华 WEI Yuxiang;LI Fuhua

作者机构：苏州大学电子信息学院江苏苏州215021 

出 版 物：《现代电子技术》 (Modern Electronics Technique)

年 卷 期：2008年第31卷第3期

页      码：176-178页

摘      要：运用仿真工具ADS,通过对CMOS共源共栅低噪声放大器的共源级栅宽,源级电感以及栅极电感值的扫描仿真,以Smith阻抗圆图的形式给出了一个直观的LNA设计优化流程,近似实现了最佳噪声源阻抗和输入阻抗的同时匹配。按照该方法设计的基于0.18μm CMOS工艺,工作在1.58 GHz的低噪声放大器,其噪声系数为1.3 dB,S11为-28.4 dB,功耗为3.42 mW,从而很好地证实了该方法的可行性。

主 题 词：CMOS 共源共栅 低噪声放大器 噪声匹配 输入阻抗匹配 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16652/j.issn.1004-373x.2008.03.018

馆 藏 号：203594125...