基于耗尽型工艺的锂电池充电保护芯片设计

作     者：张艳红 张滢清 Zhang Yanhong;Zhang Yingqing

作者机构：华侨大学信息学院福建泉州362021 

基　　金：福建省青年科技人才创新项目(2007F3066) 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2008年第45卷第2期

页      码：118-122页

摘      要：提出了一种基于耗尽型工艺的单节锂离子电池充电保护芯片设计。阐述了此芯片的设计思想及系统结构,并对芯片关键电路的独特设计方法及原理进行了详细分析,特别是基准电路和偏置电路,利用耗尽型工艺使电路具有非常低的电源启动电压和功耗。在Hspice中仿真了采用0.6μm的n阱互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺制作全局芯片的测试结果。验证了此芯片具有过电压检测、过电流检测、0 V电池充电禁止等功能,可用于单节锂离子电池充电的一级保护。

主 题 词：耗尽型 互补金属氧化物半导体 低功耗 电压源 过充电 过放电 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1671-4776.2008.02.013

馆 藏 号：203594140...