陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响

作     者：吕红亮 张义门 张玉明 车勇 王悦湖 邵科 LV Hong-liang;ZHANG Yi-men;ZHANG Yu-ming;CHE Yong;WANG Yue-hu;SHAO Ke

作者机构：西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室陕西西安710071 武警工程学院军械运输系陕西西安710086 

基　　金：国家自然科学基金(No.60606022) 国防973重点基础研究发展规划(No.51327010101) 

出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)

年 卷 期：2008年第36卷第5期

页      码：933-936页

摘      要：针对4H-SiC射频MESFET中的陷阱效应,建立了基于解析模型的器件小信号参数模型,引入能够反映陷阱影响的参数Rds″、gm″、Css等,从而能够由此分析器件特性随频率偏移的情况.对沟道缓冲层界面深能级陷阱的分析表明,4H-SiC MESFET的跨导既有正向偏移,也有负向偏移.偏移频率在室温下不足1Hz,但在600K的温度下则可达到MHz的量级.结合自热效应模型,论文还分析了栅、漏极偏置和温度对器件频率偏移特性的影响.模拟结果表明,随着温度的上升,偏移频段上升.本文的模拟分析对器件的设计提供了理论上的依据.

主 题 词：碳化硅 MESFET 深能级陷阱 频率特性 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0372-2112.2008.05.018

馆 藏 号：203594229...