介质材料带电对二次电子发射影响的研究

作     者：陈益峰 杨生胜 秦晓刚 柳青 史亮 孔风连 汤道坦 李存惠 CHEN Yi-feng;YANG Sheng-sheng;QIN Xiao-gang;LIU Qing;SHI Liang;KONG Feng-lian;TANG Dan-tan;LI Cun-hui

作者机构：兰州物理研究所真空低温技术与物理重点实验室甘肃兰州730000 

出 版 物：《真空与低温》 (Vacuum and Cryogenics)

年 卷 期：2010年第16卷第3期

页      码：167-170页

摘      要：航天器充放电效应故障大多都会引起卫星灾难性事故,对航天器在轨安全运行产生较大的影响。二次电子发射系数是决定卫星表面带电速率和充电平衡电位水平的重要材料特征参数。研究介质材料表面带电对二次电子发射影响的理论模型,分析表面正电位激发和负电位阻挡效应,并给出计算结果,为航天器充放电效应数值模拟和防护设计提供数据支持。

主 题 词：充放电效应 二次电子 能量 表面电位 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1006-7086.2010.03.009

馆 藏 号：203595286...