小尺寸应变Si/SiGe PMOSFET阈值电压及其电流电压特性的研究

作     者：屈江涛 张鹤鸣 胡辉勇 徐小波 王晓艳 QU Jiang-tao;ZHANG He-ming;HU Hui-yong;XU Xiao-bo;WANG Xiao-yan

作者机构：西安电子科技大学微电子学院西安710071 

基　　金：国家部委资助项目(51308040203 6139801) 

出 版 物：《电子科技大学学报》 (Journal of University of Electronic Science and Technology of China)

年 卷 期：2012年第41卷第2期

页      码：311-316页

摘      要：针对Si/SiGe pMOSFET器件结构求解泊松方程,同时考虑器件尺寸减小所致的物理效应,如漏致势垒降低(DIBL)效应、短沟道效应(SCE)和速度过冲效应,获得了强反型时小尺寸P+多晶SiGe栅应变Si pMOSFET的阈值电压模型和I-V特性模型。运用Matlab对模型进行计算,获得阈值电压随多晶SiGe栅Ge组分、栅长、氧化层厚度、弛豫SiGe虚拟衬底Ge组分、掺杂浓度以及漏源偏压的变化规律,I-V特性计算结果表明MOS器件采用Si基应变技术将有更高的输出特性。用器件仿真软件ISETCAD对模型结构进行仿真,所得结果与Matlab计算结果一致,从而证明了该模型的正确性,为小尺寸应变Si MOS器件的分析设计提供了参考。

主 题 词：漏致势垒降低 金属氧化物半导体晶体管 硅锗合金 应变硅 阈值电压 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-0548.2012.02.026

馆 藏 号：203596040...