一种基于准分子激光退火的GeSn合金生长新技术

作     者：周谦 杨谟华 王向展 李竞春 罗谦 ZHOU Qian;YANG Mohua;WANG Xiangzhan;LI Jingchun;LUO Qian

作者机构：电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2013年第43卷第2期

页      码：274-277页

摘      要：针对源漏诱生应变Ge沟道MOSFET的应用前景,开发了一种基于离子注入与准分子激光退火的GeSn合金生长技术。X射线衍射与透射电镜测试结果表明,采用该技术可得到质量优良的GeSn单晶。材料表面平整,无位错缺陷产生,与快速热退火方式相比,晶体质量有明显提高。Sn注入剂量为8×1015cm-2的样品经退火后,其替位式Sn原子含量为1.7%,可满足应变Ge沟道MOSFET的设计要求。该技术附加工艺少,效率高,在实际生产中具有较大的参考价值。

主 题 词：GeSn 应变Ge MOSFET 准分子激光 离子注入 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.2013.02.029

馆 藏 号：203596485...