GaAs基AlGaInP LED的研究和进展

作     者：战瑛 牛萍娟 李晓云 王小丽 彭晓磊 Zhan Ying;Niu Pingjuan;Li Xiaoyun;Wang Xiaoli;Peng Xiaolei

作者机构：天津工业大学信息与通信工程学院天津300160 

基　　金：天津市科技创新专项资金项目(06FZZDGX01800) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2008年第33卷第8期

页      码：654-657,669页

摘      要：探讨了GaAs基AlGaInP LED的最新研究与进展,介绍了AlGaInP红光LED外延材料的能带结构和基本的外延层结构以及限制外量子效率的问题,探讨了几种高效率的LED器件结构设计。着重介绍了目前一些外量子效率比较高的LED器件的制作方法以及一些提高外量子效率的AlGaInP LED器件结构,最后探讨了AlGaInP LED在作为固体光源发展过程中仍然需要面对的挑战。

主 题 词：AlGaInP 发光二极管 外量子效率 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353X.2008.08.003

馆 藏 号：203601679...