掺铒纳米硅的选择激发光荧光研究(英文)

作     者：罗向东 戴兵 Luo Xiangdong;Dai Bing

作者机构：南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室 南通大学理学院 

基　　金：Supported by the Natural Science Foundation for Key Program of Jiangsu Higher Education Institu-tions of China(08KJA510002) the″Six Top Talents″Project of Jiangsu Province the Application Research Program of Nantong,China(K2007016,K2008024) the Creative Talents Foundation of Nantong University the Natural Science Foundation(07Z122)of Nantong University~~ 

出 版 物：《Transactions of Nanjing University of Aeronautics and Astronautics》 (南京航空航天大学学报（英文版）)

年 卷 期：2008年第25卷第4期

页      码：318-323页

摘      要：通过选择激发光荧光技术研究了生长在SiO2中的掺铒纳米硅(nc-Si:Er)的光学性质。当激发光光子能量高于1.519eV时,nc-Si:Er的室温光荧光谱上能够看到两个清晰的发光峰,一个来自nc-Si,峰值位置在1.39eV,标记为Enc-Si;另一个发光来自nc-Si附近的Er离子,峰值位置在0.81eV,标记为EEr。当激发光的光子能量为1.42eV时,尽管该能量高于Enc-Si和EEr的峰值能量,在nc-Si:Er的室温光荧光谱上既看不到Enc-Si的发光峰,也看不到EEr的发光峰。研究发现,当激发光光子能量与Er离子的一些激发态能量共振时,来自Er离子的荧光峰(EEr)出现共振增强现象,同时来自nc-Si的荧光峰峰值强度则有一定程度的降低。结果表明,nc-Si:Er中的共振增强现象是由于共振激发增强了载流子从nc-Si向临近的Er离子传输过程。

主 题 词：纳米硅 铒 选择激发光荧光 共振 

学科分类：07[理学] 070302[070302] 0802[工学-机械学] 0703[理学-化学类] 0825[工学-环境科学与工程类] 0704[理学-天文学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-1120.2008.04.012

馆 藏 号：203603124...