日盲紫外焦平面探测器的抗辐射加固设计

作     者：申志辉 罗木昌 叶嗣荣 樊鹏 周勋 SHEN Zhihui;LUO Muchang;YE Sirong;FAN Peng;ZHOU Xun

作者机构：重庆光电技术研究所重庆400060 

基　　金：国防基础科研计划项目(JCKY2017210A003) 国家安全重大基础研究项目(61328403) 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2019年第40卷第2期

页      码：157-160,165页

摘      要：设计了一款320×256元抗辐射日盲紫外焦平面阵列探测器,重点针对探测器的读出电路版图、积分开关偏置点、探测器芯片外延结构及器件工艺开展了抗辐射加固设计。对加固样品开展了γ总剂量和中子辐照试验和测试,试验结果表明样品的抗电离辐照总剂量达到150krad(Si),抗中子辐照注量达到1×1013 n/cm2(等效1MeV中子),验证了抗辐射加固措施的有效性。

主 题 词：紫外焦平面探测器 读出电路 抗辐射加固 总剂量效应 

学科分类：0808[工学-自动化类] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.16818/j.issn1001-5868.2019.02.002

馆 藏 号：203607045...