700VVDMOS终端失效分析与优化设计

作     者：干红林 冯全源 王丹 GAN Hong-lin;FENG Quan-yuan;WANG Dan

作者机构：西南交通大学微电子研究所四川成都610031 

基　　金：国家自然科学基金项目(61271090) 国家高技术研究发展计划("八六三"计划)重大项目(2012AA012305) 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2015年第32卷第3期

页      码：86-89,93页

摘      要：通过电测、微光显微镜(EMMI)漏电流定位和扫描电子显微镜(SEM)形貌分析等手段,对一款700V垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器件进行失效分析(FA).基于Sentaurus TCAD仿真平台进行验证,找到击穿电压失效的主要原因.在改进终端结构的过程中,通过对电流密度、电场、静电势和空间电荷等仿真模型的分析,进一步发现造成耐压不足的场板(FP)结构问题,并提出有效的改进办法.最终,经过优化得到一款耐压770V、硅表面电场分布均匀可靠的终端结构.

主 题 词：垂直双扩散金属氧化物半导体器件 失效分析 微光显微镜 终端结构 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2015.03.019

馆 藏 号：203608371...