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1.8GHzCMOS有源负载低噪声放大器

1.8GHzCMOS有源负载低噪声放大器

作     者:王良江 冯全源 WANG Liang-jiang;FENG Quan-yuan

作者机构:西南交通大学微电子研究所成都610031 

基  金:国家自然科学基金资助的项目 基金号:60371017 

出 版 物:《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期:2005年第28卷第3期

页      码:494-496页

摘      要:提出了一种新的变压器型有源电感负载低噪声放大器设计方案。单片无源大电感的品质因数通常很低,因此,需验证变压器型有源电感替代无源电感负载的有效性,与现有的一些单片无源电感负载低噪声放大器进行了比较,结果表明变压器型有源电感负载低噪声放大器可以得到更低的噪声系数。

主 题 词:互补金属氧化物半导体 低噪声放大器 有源电感 噪声系数 

学科分类:080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录:

D O I:10.3969/j.issn.1005-9490.2005.03.009

馆 藏 号:203608860...

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