30V沟槽MOSFET优化设计

作     者：孙伟锋 张萌 王钦 SUN Weifeng;ZHANG Meng;WANG Qin

作者机构：东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心南京210096 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2008年第38卷第3期

页      码：338-341页

摘      要：借助半导体专业模拟软件Tsuprem-4和Medici,模拟得到一组最佳的30V沟槽MOS-FET结构和工艺参数;给出了特性模拟曲线。在此基础上,详细讨论了沟槽的宽度和深度变化对沟槽MOSFET的阈值电压、击穿电压、漏电流及导通电阻等特性的影响。最后,根据模拟得到的最佳参数进行了流片实验。结果表明,所设计器件的击穿电压大于35V,Vgs为10V下的导通电阻为21mΩ·mm2。

主 题 词：沟槽 MOSFET 击穿电压 导通电阻 阈值电压 

学科分类：080903[080903] 080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203609662...