嵌入耦合量子点的介观A-B环内的持续电流

作     者：谌雄文 吴绍全 

作者机构：四川师范大学物理系四川成都610068 

基　　金：四川省应用基础研究基金资助项目 (OZGY0 2 9- 188) 四川省教育厅自然科学学科研究基金资助项目 (2 0 0 3A0 78) 

出 版 物：《广西物理》 (Guangxi Physics)

年 卷 期：2004年第25卷第1期

页      码：17-20页

摘      要：使用双杂质的Ansderson模型的哈密顿 ,从理论上研究了一个嵌入并联耦合量子点(DQD)的介观A -B环系统处在Kondo区时的基态性质 ,并用slave boson平均场方法求解了哈密顿。结果表明 ,在这个系统中 ,由磁通诱导而产生的持续电流依赖于系统的宇称效应和尺寸大小 ,并随隧穿耦合强度的增加而变得越来越复杂。在δ >T0 K 时 ,它的电流的峰值是奇宇称的大于偶宇称的 ,并随隧穿耦合强度的增加而增大 ,但Fano共振却被削弱 ,系统始终存在宇称效应 ,这个系统与单 (串联耦合双 )量子点系统相比 ,有许多不同的物理性质。因此 ,在未来的装置设计中 ,是很有潜力的。

主 题 词：持续电流 宇称效应 尺寸效应 Kondo效应 

学科分类：0809[工学-计算机类] 07[理学] 070205[070205] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

馆 藏 号：203609991...