采用混合模式晶体管(BMHMT)构成低温BiCMOS集成电路

作     者：李树荣 郭维廉 郑云光 刘理天 李志坚 

作者机构：天津大学信息工程学院 清华大学微电子学研究所 

基　　金：国家自然科学基金 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：1998年第19卷第9期

页      码：715-720页

摘      要：本文介绍采用与ＣＭＯＳ工艺完全相容的双极／ＭＯＳ混合模式晶体管（ＢＭＨＭＴ）构成新型的低温ＢｉＣＭＯＳ集成电路．理论分析表明该电路与ＣＭＯＳ相比，在电压摆幅相同，静态功耗相近的条件下，具有更大的驱动能力，尤其在较低的工作电压下，其特点更加突出．我们用统一的标准和相同芯片面积设计了３９级带负载的ＢｉＣＭＯＳ和ＣＭＯＳ环形振荡器．实验样品经室温和低温平均门延迟时间测试，表明在相同工作电压下ＢｉＣＭＯＳ优于ＣＭＯＳ．若两种电路都采用ＳＯＩ结构。

主 题 词：混合模式晶体管 VLSI BMHMT IC 铋CMOS 制造工艺 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

馆 藏 号：203610250...