一种低功耗无电容型LDO的设计

作     者：王晋雄 原义栋 张海峰 Wang Jinxiong;Yuan Yidong;Zhang Haifeng

作者机构：中国电力科学研究院通信与用电技术分公司北京100192 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2011年第36卷第4期

页      码：316-321页

摘      要：提出了一种片上集成的低功耗无电容型LDO（low drop out）电路。该电路采用折叠型eascode运放作为误差放大器，通过消除零点的密勒补偿技术提高了环路稳定性；并在电路中加入了一种新的限流保护结构以保证输出电流过大时对LDO的输出进行保护。此外，在电路中加入了省电模式，可在保持LDO输出1．8V情况下节省大于70％的功耗。该设计采用HHNEC0．13μmCMOS工艺，仿真结果显示：在2．5～5．5V电源供电、各个工艺角及温度变化条件下，LDO输出的线性调整率小于2．3mV／V，负载调整率小于14μV／mA，温度系数小于27×10^-6／℃；在正常工作模式下，整个LDO消耗85μA电流；在省电模式下仅消耗23斗A电流。

主 题 词：密勒补偿 限流保护 省电模式 低功耗 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353x.2011.04.015

馆 藏 号：203610861...