基于标准CMOS工艺的串联高压太阳能电池研究

作     者：谢生 侯贺刚 毛陆虹 张世林 郭维廉 

作者机构：天津大学电子信息工程学院天津300072 

基　　金：国家自然科学基金(61072010 61036002 61106052)资助项目 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2014年第25卷第2期

页      码：213-216页

摘      要：基于标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺流程,设计了p+/N-well和n+/p-sub两类结构的太阳能电池单元,通过分析影响电池性能参数的主要因素,设计、制备出4种不同单元尺寸的电池结构。测试结果表明,在标准测试条件下,面积50μm×50μm的单元结构具有最优的性能参数,其开路电压和短路电流分别为0.49V和76.61μA/mm2,最大输出功率达29.44μW/mm2,光电转换效率为2.94%。基于优化的器件结构,将两类不同结构的电池单元串联实现了高压输出的太阳能电池,电池的输出电压为0.95V,短路电流和最大输出功率分别为13μA/mm2和10.5μW/mm2。

主 题 词：能量采集 太阳能电池 高压输出 单片集成 互补金属氧化物半导体(CMOS) 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.16136/j.joel.2014.02.011

馆 藏 号：203612237...